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更新 2026·06·17
概念 技术 / 术语

NAND Flash

NAND · Flash 存储 · 闪存

NAND Flash 是非易失性存储介质 — 断电不丢数据。从早期 2D NAND 演进到 3D NAND,目前正向 400 层 NAND + QLC(4 bit/cell)方向迭代,是 SSD / PCIe 5.0 SSD 的核心介质。

NAND Flash CONCEPT · 概念
首次提出
1980s
关键参与方
三星电子, SK海力士, 铠侠, SanDisk, 长江存储
反向引用
40 处 · 来自 28
归属 NAND闪存SSD第二层存储

NAND Flash(闪存)

AI 时代的持久化存储核心 — 承载训练数据集 / 模型检查点 / 推理缓存。全球市场 2024 $696 亿,五大厂寡头垄断,CR5 占比 90%+据2-04)。

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是什么

NAND Flash 是非易失性存储介质 — 断电不丢数据。从早期 2D NAND 演进到 3D NAND,目前正向 400 层 NAND + QLC(4 bit/cell)方向迭代,是 SSD / PCIe 5.0 SSD 的核心介质。

市场规模

维度 数据
全球 NAND(2024) $696 亿
全球存储(2024) $1,670 亿(DRAM + NAND)
企业级 SSD(2024→2028) 219 EB → 517.6 EB(IDC)
国产 NAND 份额 <10%

数据综合 据2-04

全球竞争格局(2024 Q4)

厂商 份额 备注
三星电子 32.5% 全球第一
SK海力士 / Solidigm 第二梯队 收购 Intel NAND 业务整合
铠侠 第三 2024-12-18 东京上市(ticker 285A,Kioxia 官方/Nikkei,T1/T2)
SanDisk 从 WDC 拆分独立
长江存储 <10% 国产代表,Xtacking 架构
CR5 90%+ 寡头垄断

演进路线

2D NAND → 3D NAND(64/96/176/232 层)→ 400 层 NAND(2026 量产)→ 远期 1,000 层(2030)。

关键来源

已废弃叙述

2026-05-29 数字订正:铠侠东京上市时间 "2025-12" → 更正为 2024-12-18(ticker 285A,依据 Kioxia 官方/Nikkei T1/T2;该 IPO 获 DealWatch Awards 2024 年度 IPO)
  • 铠侠:第三 | 2025-12 东京上市